el-All-Around,CAA）IGZO FET 的基础上，研究了第二层器件堆叠前层间介质层工艺的影响，验证了 CAA IGZO FET 在 2T0C DARM 应用中的可靠性。 CAA IGZO FET 的截面电镜图及转移输出曲线经过优化后的 IGZO FET 表现出优秀的可靠性
科技创新、叶紫记载！